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Fuente de rayos X de ánodo dual para revestimientos por evaporación térmica

Fuente de rayos X de ánodo dual para revestimientos por evaporación térmica
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  • TN

Fuente de rayos X de ánodo dual para revestimientos por evaporación térmica

Parámetro del producto:

material del ánodo

Al、Mg

Energía de bombardeo de electrones del objetivo de Al

15(keV)

Poder de bombardeo de electrones del objetivo Al

600(W)

Energía de bombardeo de electrones del objetivo de Mg.

15 (keV)

Poder de bombardeo de electrones del objetivo de Mg.

400(W)

Energía del rayo AlKα1/2 (eV)

1486.6(La mitad   ancho 0.9eV)

MgKα1/2 Energía del rayo (eV)

1253.6(La mitad   ancho 0.7eV)

Brida

ICF70

agua de refrigeración

>3,5 l/min

Distancia a la muestra

>14mm

Temperatura de horneado

200℃

Aplicación

XPS


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Zhengzhou Tainuo Thin Film Materials Co., Ltd.
Que es un fabricante especializado en la producción de instrumentos científicos de laboratorio.Nuestros productos se utilizan ampliamente en universidades, instituciones de investigación y laboratorios.

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