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TN-PLD-450
TN
El instrumento de recubrimiento por evaporación y deposición por láser de pulso PLD es una herramienta muy versátil y eficiente para preparar una amplia gama de materiales de película delgada. Este instrumento avanzado utiliza tecnología de deposición por láser de pulso para depositar con precisión películas delgadas sobre sustratos con un control y precisión excepcionales.
Una de las características clave del instrumento de recubrimiento por evaporación por deposición por láser de pulso PLD es su capacidad para preparar varios tipos de materiales de película delgada, incluidas películas superconductoras, películas de óxido, películas metálicas, películas semiconductoras y más. Esto lo convierte en una opción ideal para investigadores y científicos que trabajan en diversos campos, desde la ciencia de los materiales hasta la electrónica.
Con su tecnología avanzada y capacidades de deposición precisas, el instrumento de recubrimiento por evaporación de deposición por láser de pulso PLD ofrece un rendimiento y confiabilidad incomparables. Su interfaz fácil de usar y sus controles intuitivos facilitan su funcionamiento, mientras que su construcción robusta garantiza una durabilidad duradera.
Ya sea que esté realizando investigaciones en un laboratorio o desarrollando nuevos materiales para aplicaciones industriales, el instrumento de recubrimiento por evaporación por deposición por láser de pulso PLD es una herramienta valiosa que puede ayudarlo a lograr sus objetivos con precisión y eficiencia. Invierta hoy en este instrumento de vanguardia y lleve sus capacidades de deposición de películas delgadas al siguiente nivel.
Nombre del producto | Evaporación por deposición por láser de pulso PLD instrumento de recubrimiento | |
Modelo de producto | TN-PLD-450 | |
Sistema de vacío principal | Estructura de esfera, tamaño: dia. 450 mm | |
Cargando sistema de muestra | Estructura cilíndrica vertical, tamaño: dia. 150×150mm | |
Configuración del sistema de vacío | Cámara de vacío principal | Bomba mecánica, bomba molecular, válvula. |
Cargando sistema de muestra | Bomba mecánica y molecular. bomba (compartiendo con la cámara primaria), válvula | |
Presión máxima | Sistema de vacío principal | ≤6*10-6Pa(después de hornear y desgasificar) |
Cargando sistema de muestra | ≤6*10-3 Pa (después de hornear y desgasificar) | |
Recuperación de vacío sistema | Sistema de vacío principal | Puede alcanzar 5x10-3Pa en 20 minutos (el El sistema está expuesto a la atmósfera por un corto tiempo y lleno de nitrógeno seco para comenzar a bombear) |
Cargando muestra sistema | Puede alcanzar 5x10-3Pa en 20 minutos (el El sistema está expuesto a la atmósfera por un corto tiempo y lleno de nitrógeno seco para comenzar a bombear) | |
Plataforma de objetivo giratoria | El tamaño máximo del objetivo es aproximadamente 60 mm. Se pueden instalar cuatro materiales objetivo a la vez, cambiando el objetivo en movimiento de revolución; cada objetivo puede girar de forma independiente, velocidad de rotación: 5-60 rpm | |
Plataforma de calentamiento de sustrato | Tamaño de la muestra | Día. 51 |
Modo de movimiento | El sustrato gira continuamente, rotación velocidad: 5-60 rpm | |
Temperatura de calentamiento | Temperatura máxima de calentamiento del sustrato: 800℃±1℃, controlado y ajustable | |
Sistema de circuito de gas | Controlador de caudal másico de 1 circuito, 1 circuito válvula de inflado | |
Accesorios opcionales | Dispositivo láser | Compatible con láser coherente 201 |
Dispositivo de escaneo con rayo láser | Plataforma mecánica de escaneo 2D, realizar Escaneo de dos grados de libertad. | |
Sistema de control por computadora | Los contenidos del control incluyen objetivo de conversión, rotación de objetivo, rotación de muestra, temperatura de muestra control, escaneo por rayo láser, etc. | |
Espacio de piso | Unidad principal | 1800 * 1800 mm2 |
Armario electrico | 700 *700 mm2 (uno) | |
El instrumento de recubrimiento por evaporación y deposición por láser de pulso PLD es una herramienta muy versátil y eficiente para preparar una amplia gama de materiales de película delgada. Este instrumento avanzado utiliza tecnología de deposición por láser de pulso para depositar con precisión películas delgadas sobre sustratos con un control y precisión excepcionales.
Una de las características clave del instrumento de recubrimiento por evaporación por deposición por láser de pulso PLD es su capacidad para preparar varios tipos de materiales de película delgada, incluidas películas superconductoras, películas de óxido, películas metálicas, películas semiconductoras y más. Esto lo convierte en una opción ideal para investigadores y científicos que trabajan en diversos campos, desde la ciencia de los materiales hasta la electrónica.
Con su tecnología avanzada y capacidades de deposición precisas, el instrumento de recubrimiento por evaporación de deposición por láser de pulso PLD ofrece un rendimiento y confiabilidad incomparables. Su interfaz fácil de usar y sus controles intuitivos facilitan su funcionamiento, mientras que su construcción robusta garantiza una durabilidad duradera.
Ya sea que esté realizando investigaciones en un laboratorio o desarrollando nuevos materiales para aplicaciones industriales, el instrumento de recubrimiento por evaporación por deposición por láser de pulso PLD es una herramienta valiosa que puede ayudarlo a lograr sus objetivos con precisión y eficiencia. Invierta hoy en este instrumento de vanguardia y lleve sus capacidades de deposición de películas delgadas al siguiente nivel.
Nombre del producto | Evaporación por deposición por láser de pulso PLD instrumento de recubrimiento | |
Modelo de producto | TN-PLD-450 | |
Sistema de vacío principal | Estructura de esfera, tamaño: dia. 450 mm | |
Cargando sistema de muestra | Estructura cilíndrica vertical, tamaño: dia. 150×150mm | |
Configuración del sistema de vacío | Cámara de vacío principal | Bomba mecánica, bomba molecular, válvula. |
Cargando sistema de muestra | Bomba mecánica y molecular. bomba (compartiendo con la cámara primaria), válvula | |
Presión máxima | Sistema de vacío principal | ≤6*10-6Pa(después de hornear y desgasificar) |
Cargando sistema de muestra | ≤6*10-3 Pa (después de hornear y desgasificar) | |
Recuperación de vacío sistema | Sistema de vacío principal | Puede alcanzar 5x10-3Pa en 20 minutos (el El sistema está expuesto a la atmósfera por un corto tiempo y lleno de nitrógeno seco para comenzar a bombear) |
Cargando muestra sistema | Puede alcanzar 5x10-3Pa en 20 minutos (el El sistema está expuesto a la atmósfera por un corto tiempo y lleno de nitrógeno seco para comenzar a bombear) | |
Plataforma de objetivo giratoria | El tamaño máximo del objetivo es aproximadamente 60 mm. Se pueden instalar cuatro materiales objetivo a la vez, cambiando el objetivo en movimiento de revolución; cada objetivo puede girar de forma independiente, velocidad de rotación: 5-60 rpm | |
Plataforma de calentamiento de sustrato | Tamaño de la muestra | Día. 51 |
Modo de movimiento | El sustrato gira continuamente, rotación velocidad: 5-60 rpm | |
Temperatura de calentamiento | Temperatura máxima de calentamiento del sustrato: 800℃±1℃, controlado y ajustable | |
Sistema de circuito de gas | Controlador de caudal másico de 1 circuito, 1 circuito válvula de inflado | |
Accesorios opcionales | Dispositivo láser | Compatible con láser coherente 201 |
Dispositivo de escaneo con rayo láser | Plataforma mecánica de escaneo 2D, realizar Escaneo de dos grados de libertad. | |
Sistema de control por computadora | Los contenidos del control incluyen objetivo de conversión, rotación de objetivo, rotación de muestra, temperatura de muestra control, escaneo por rayo láser, etc. | |
Espacio de piso | Unidad principal | 1800 * 1800 mm2 |
Armario electrico | 700 *700 mm2 (uno) | |
