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|---|---|
TN-PECVD-50R-1200-Q
TN
en el proceso. Este sistema está diseñado para la deposición de películas uniforme y de alta calidad en aplicaciones industriales y de investigación.
El sistema de horno tubular PECVD cuenta con un horno tubular de alta temperatura capaz de alcanzar temperaturas de hasta 1200 °C, lo que permite un control preciso sobre el proceso de deposición. El sistema también incluye un sistema de suministro de gas para introducir gases precursores en la cámara, así como una fuente de alimentación de radiofrecuencia (RF) para generar plasma.
Con su diseño avanzado y capacidades de control precisas, el sistema de horno tubular PECVD es ideal para depositar una amplia gama de películas delgadas, incluidos dióxido de silicio, nitruro de silicio y silicio amorfo. El sistema se utiliza comúnmente en la fabricación de transistores de película delgada, células solares y otros dispositivos electrónicos.
En general, el sistema de horno tubular PECVD ofrece a investigadores y fabricantes una solución confiable y eficiente para la deposición de películas delgadas, con la capacidad de producir películas de alta calidad con excelente uniformidad y reproducibilidad. Sus características y capacidades avanzadas lo convierten en una herramienta valiosa para una amplia gama de aplicaciones en los campos de la ciencia de materiales, la nanotecnología y la fabricación de dispositivos semiconductores.
Nombre del producto | Horno tubular PECVD | |
Nombre del producto | TN-PECVD-50R-1200-Q | |
fuente de alimentación de radiofrecuencia | Potencia de salida | 150W |
Precisión de salida | ±1% | |
frecuencia de radiofrecuencia | 13,56MHz | |
Estabilidad de RF | ±0,005% | |
Método de enfriamiento | refrigeración por aire | |
Horno tubular de zona de calentamiento única de 1200 ℃ | Tensión de alimentación | 220 V CA, 50 Hz |
Potencia máxima | 2kW | |
Zona de calentamiento | Zona de calentamiento única 200 mm | |
Temperatura de trabajo | Máximo 1200 ℃, la temperatura de funcionamiento continuo debe ser ≤1100 ℃ | |
Precisión de temperatura | ± 1℃ | |
Método de control de temperatura | Curva de proceso AI-PID de 30 etapas, puede almacenar múltiple Tres zonas de temperatura independientes control, con protección contra sobrecalentamiento y falla del termopar | |
Material del tubo del horno | Cuarzo de alta pureza | |
Tamaño del tubo del horno | Día. 50x800mm | |
Método de sellado | Brida de vacío de acero inoxidable, KF16 brida | |
Velocidad ajustable | 0-20 rpm | |
Ángulo de inclinación del horno | 0-15° | |
bomba de vacío | Bomba mecánica de paletas rotativas | |
Vacío definitivo | 1.0E-1Pa | |
Método de alimentación | Embudo de vacío y alimentación por tornillo | |
en el proceso. Este sistema está diseñado para la deposición de películas uniforme y de alta calidad en aplicaciones industriales y de investigación.
El sistema de horno tubular PECVD cuenta con un horno tubular de alta temperatura capaz de alcanzar temperaturas de hasta 1200 °C, lo que permite un control preciso sobre el proceso de deposición. El sistema también incluye un sistema de suministro de gas para introducir gases precursores en la cámara, así como una fuente de alimentación de radiofrecuencia (RF) para generar plasma.
Con su diseño avanzado y capacidades de control precisas, el sistema de horno tubular PECVD es ideal para depositar una amplia gama de películas delgadas, incluidos dióxido de silicio, nitruro de silicio y silicio amorfo. El sistema se utiliza comúnmente en la fabricación de transistores de película delgada, células solares y otros dispositivos electrónicos.
En general, el sistema de horno tubular PECVD ofrece a investigadores y fabricantes una solución confiable y eficiente para la deposición de películas delgadas, con la capacidad de producir películas de alta calidad con excelente uniformidad y reproducibilidad. Sus características y capacidades avanzadas lo convierten en una herramienta valiosa para una amplia gama de aplicaciones en los campos de la ciencia de materiales, la nanotecnología y la fabricación de dispositivos semiconductores.
Nombre del producto | Horno tubular PECVD | |
Nombre del producto | TN-PECVD-50R-1200-Q | |
fuente de alimentación de radiofrecuencia | Potencia de salida | 150W |
Precisión de salida | ±1% | |
frecuencia de radiofrecuencia | 13,56MHz | |
Estabilidad de RF | ±0,005% | |
Método de enfriamiento | refrigeración por aire | |
Horno tubular de zona de calentamiento única de 1200 ℃ | Tensión de alimentación | 220 V CA, 50 Hz |
Potencia máxima | 2kW | |
Zona de calentamiento | Zona de calentamiento única 200 mm | |
Temperatura de trabajo | Máximo 1200 ℃, la temperatura de funcionamiento continuo debe ser ≤1100 ℃ | |
Precisión de temperatura | ± 1℃ | |
Método de control de temperatura | Curva de proceso AI-PID de 30 etapas, puede almacenar múltiple Tres zonas de temperatura independientes control, con protección contra sobrecalentamiento y falla del termopar | |
Material del tubo del horno | Cuarzo de alta pureza | |
Tamaño del tubo del horno | Día. 50x800mm | |
Método de sellado | Brida de vacío de acero inoxidable, KF16 brida | |
Velocidad ajustable | 0-20 rpm | |
Ángulo de inclinación del horno | 0-15° | |
bomba de vacío | Bomba mecánica de paletas rotativas | |
Vacío definitivo | 1.0E-1Pa | |
Método de alimentación | Embudo de vacío y alimentación por tornillo | |
