TN
El diamante tiene excelentes propiedades como banda prohibida ancha, alta conductividad térmica, alto campo de ruptura, alto valor de movilidad, resistencia a altas temperaturas, resistencia a ácidos y álcalis, resistencia a la corrosión, resistencia a la radiación, etc. Desempeña un papel importante en las aplicaciones de alta- dispositivos electrónicos de potencia, alta frecuencia y alta temperatura y se considera uno de los materiales semiconductores de banda ancha más prometedores en la actualidad.
Ventajas del diamante:
• La conductividad térmica a temperatura ambiente más alta de cualquier material (hasta 2000 W/mk)
• Aspereza de la cara de crecimiento Ra<1nm Es posible una baja rugosidad con alta planitud
• Aislamiento eléctrico
• Muy bajo peso
• Alta resistencia mecánica
• Inercia química y baja toxicidad.
• Disponemos de una amplia gama de espesores
• Amplia gama de soluciones de unión de diamantes
El diamante es un material ideal para esparcir calor
El calor es la principal causa de fallos en la electrónica.Estadísticamente, reducir la temperatura de la unión operativa en 10 °C puede duplicar la vida útil del dispositivo.Los dispositivos de alta potencia, como los transistores de alta movilidad de electrones de nitruro de galio (GaN HEMT), se han desarrollado sobre sustratos de silicio (Si) y carburo de silicio (SiC).Sin embargo, GaN-Si y GaN-SiC todavía están restringidos por efectos de autocalentamiento, lo que resulta en una baja estabilidad del rendimiento del dispositivo.El diamante es conocido como el material con la conductividad térmica a temperatura ambiente más alta de todos los materiales.Recientemente, el diamante CVD supera a los materiales comunes actuales en cuanto a gestión térmica, como el cobre, el carburo de silicio y el nitruro de aluminio, en factores de 3 a 10 veces.Con excelentes propiedades como bajo peso, aislamiento eléctrico, resistencia mecánica, baja toxicidad y baja constante dieléctrica, el diamante CVD es el disipador de calor óptimo para los diseñadores de dispositivos y paquetes.
Aprovechar las incomparables propiedades térmicas del diamante sintético ayudará a abordar fácilmente los problemas de 'disipación de calor' que enfrentan los dispositivos electrónicos y de potencia actuales, y logrará una confiabilidad mejorada y una mayor densidad de potencia en un espacio más pequeño.Una vez que se resuelva el problema 'térmico', al mejorar efectivamente el rendimiento de la gestión térmica, el diamante CVD también permitirá aumentos dramáticos en la vida útil y la potencia de los dispositivos semiconductores y, al mismo tiempo, reducirá significativamente los costos operativos.
Disipador de calor de diamante TC1200、TC 1500、TC 1800
Tecnología líder a nivel internacional para lograr un alto acabado superficial Ra < 1 nm
TN desarrolla un método de mecanizado eficiente y preciso para reducir la rugosidad superficial de sustratos de diamante de 2 pulgadas de decenas de micras a menos de 1 nm, basado en el pulido asistido por plasma.Esta técnica tiene una alta eficiencia de eliminación, lo que puede obtener superficies atómicamente planas sin dejar una superficie rugosa con daños importantes en el subsuelo.En la actualidad, TN ha alcanzado el nivel líder internacional al lograr un alto acabado superficial Ra < 1 nm.
Alta conductividad térmica: 1000-2000 W/mK
Para cumplir con los requisitos de conductividad térmica de 1000~2000W/mk, el disipador de calor de diamante es la primera opción y el único material de disipador de calor opcional.TN puede personalizar la conductividad térmica según los requisitos del cliente.Actualmente se han lanzado tres productos estándar: TC1200, TC 1500, TC 1800.
Servicios personalizados en espesor, tamaño y forma
TN puede personalizar el diamante CVD con espesores de 200 a 1000 micras y en diámetros de hasta 125 mm.Las capacidades de corte y pulido por láser de TN brindan a nuestros clientes la geometría, la planitud de la superficie, la baja rugosidad y el servicio de metalización que satisfacen sus requisitos específicos.
Aplicaciones Típicas:
Dispositivos RF de alta potencia
• Amplificadores de RF de estación base
• Amplificadores de enlace ascendente de RF por satélite
• Amplificadores de microondas
Optoelectrónica de alta potencia
• Diodos láser y conjuntos de diodos láser
• Módulos IC ópticos planos
• LED de alto brillo
Dispositivos de potencia de alto voltaje
• Subsistemas automotrices
• Subsistemas aeroespaciales
• Distribución de energía
• Convertidores CC/CC
Equipos semiconductores
• Pruebas de caracterización
• Procesos de fijación de troqueles
Ventajas competitivas en aplicaciones:
RF de alta potencia y optoelectrónica
Mayor potencia a menor temperatura de funcionamiento
El diamante CVD permite que los dispositivos optoelectrónicos y de RF de alta potencia:
• Funciona a niveles de potencia más altos sin aumentar la temperatura de funcionamiento de la unión
• Funciona al mismo nivel de potencia, pero mucho más frío, lo que aumenta la vida útil y la confiabilidad.
• La amplia transmisión óptica permite que los esparcidores de calor de diamante CVD funcionen dentro de una trayectoria óptica, como en cavidades láser, sin degradación del rendimiento óptico.
Dispositivos de energía de alto voltaje
Sistemas de energía de alto voltaje más pequeños y más rápidos
El diamante CVD ofrece:
• Confiabilidad mejorada y mayor eficiencia al reducir la temperatura de funcionamiento del dispositivo
• Peso y espacio reducidos del sistema
• Reducción o eliminación de sistemas de refrigeración auxiliares.
Montaje y prueba de semiconductores
Un tiempo de prueba más largo y un diamante CVD de matriz uniformemente adherido permiten pruebas de tensión prolongadas y caracterización de dispositivos semiconductores al mantener temperaturas más bajas de los dispositivos.El diamante CVD también garantiza que el calor se distribuya rápida y uniformemente por toda el área del semiconductor durante la fijación del troquel, brindando un contacto fuerte y confiable.
Dispositivos semiconductores compuestos
Utilizando los disipadores de calor Diamond, se puede mejorar el rendimiento de dispositivos avanzados, como los basados en GaN, SiC, InP y GaAS, y ampliar su vida útil.
Nombre del producto | Dia-TC1200 | Diámetro - TC1500 | Diámetro - TC1800 |
Método de crecimiento | MPCVD | MPCVD | MPCVD |
Espesor | 0~1mm | 0~1mm | 0~1mm |
Tolerancia de grosor | +/- 5% | +/- 5% | +/- 5% |
Tamaño | 1 cm * 1 cm; 2 pulgadas | 1 cm * 1 cm; 2 pulgadas | 1 cm * 1 cm; 2 pulgadas |
Rugosidad de la cara de crecimiento (Ra) | < 1 nanómetro | < 1 nanómetro | < 1 nanómetro |
FWHM（D111） | 0.354 | 0.354 | 0.354 |
Conductividad térmica (TC) | >1200W/mK | >1500W/mK | >1800W/mK |
Expansión térmica coeficiente | 1,0 ± 0,1 | 1,0 ± 0,1 | 1,0 ± 0,1 |
Difusividad térmica（300K (cm2 s-1)） | >5.5 | >8.3 | >10.0 |
Capacidad calorífica específica 300K (J kg-1 K-1) | 520 | 520 | 520 |
Dureza (GPa) | 81 ± 18 | 81 ± 18 | 81 ± 18 |
Tenacidad a la fractura (MPa m0.5) | 5,3 - 7,0 | 5,3 - 7,0 | 5,3 - 7,0 |
Módulo de Young (GPa) | 1050 | 1050 | 1050 |
Densidad (103 kg m-3) | 3.52 | 3.52 | 3.52 |
Resistividad Rv/Rs (Ω m | 1012 | 1012 | 1012 |
televisión | < 15 µm | < 15 µm | < 15 µm |
Arco | < 30 µm | < 30 µm | < 30 µm |
Deformación | < 100 µm | < 100 µm | < 100 µm |
El diamante tiene excelentes propiedades como banda prohibida ancha, alta conductividad térmica, alto campo de ruptura, alto valor de movilidad, resistencia a altas temperaturas, resistencia a ácidos y álcalis, resistencia a la corrosión, resistencia a la radiación, etc. Desempeña un papel importante en las aplicaciones de alta- dispositivos electrónicos de potencia, alta frecuencia y alta temperatura y se considera uno de los materiales semiconductores de banda ancha más prometedores en la actualidad.
Ventajas del diamante:
• La conductividad térmica a temperatura ambiente más alta de cualquier material (hasta 2000 W/mk)
• Aspereza de la cara de crecimiento Ra<1nm Es posible una baja rugosidad con alta planitud
• Aislamiento eléctrico
• Muy bajo peso
• Alta resistencia mecánica
• Inercia química y baja toxicidad.
• Disponemos de una amplia gama de espesores
• Amplia gama de soluciones de unión de diamantes
El diamante es un material ideal para esparcir calor
El calor es la principal causa de fallos en la electrónica.Estadísticamente, reducir la temperatura de la unión operativa en 10 °C puede duplicar la vida útil del dispositivo.Los dispositivos de alta potencia, como los transistores de alta movilidad de electrones de nitruro de galio (GaN HEMT), se han desarrollado sobre sustratos de silicio (Si) y carburo de silicio (SiC).Sin embargo, GaN-Si y GaN-SiC todavía están restringidos por efectos de autocalentamiento, lo que resulta en una baja estabilidad del rendimiento del dispositivo.El diamante es conocido como el material con la conductividad térmica a temperatura ambiente más alta de todos los materiales.Recientemente, el diamante CVD supera a los materiales comunes actuales en cuanto a gestión térmica, como el cobre, el carburo de silicio y el nitruro de aluminio, en factores de 3 a 10 veces.Con excelentes propiedades como bajo peso, aislamiento eléctrico, resistencia mecánica, baja toxicidad y baja constante dieléctrica, el diamante CVD es el disipador de calor óptimo para los diseñadores de dispositivos y paquetes.
Aprovechar las incomparables propiedades térmicas del diamante sintético ayudará a abordar fácilmente los problemas de 'disipación de calor' que enfrentan los dispositivos electrónicos y de potencia actuales, y logrará una confiabilidad mejorada y una mayor densidad de potencia en un espacio más pequeño.Una vez que se resuelva el problema 'térmico', al mejorar efectivamente el rendimiento de la gestión térmica, el diamante CVD también permitirá aumentos dramáticos en la vida útil y la potencia de los dispositivos semiconductores y, al mismo tiempo, reducirá significativamente los costos operativos.
Disipador de calor de diamante TC1200、TC 1500、TC 1800
Tecnología líder a nivel internacional para lograr un alto acabado superficial Ra < 1 nm
TN desarrolla un método de mecanizado eficiente y preciso para reducir la rugosidad superficial de sustratos de diamante de 2 pulgadas de decenas de micras a menos de 1 nm, basado en el pulido asistido por plasma.Esta técnica tiene una alta eficiencia de eliminación, lo que puede obtener superficies atómicamente planas sin dejar una superficie rugosa con daños importantes en el subsuelo.En la actualidad, TN ha alcanzado el nivel líder internacional al lograr un alto acabado superficial Ra < 1 nm.
Alta conductividad térmica: 1000-2000 W/mK
Para cumplir con los requisitos de conductividad térmica de 1000~2000W/mk, el disipador de calor de diamante es la primera opción y el único material de disipador de calor opcional.TN puede personalizar la conductividad térmica según los requisitos del cliente.Actualmente se han lanzado tres productos estándar: TC1200, TC 1500, TC 1800.
Servicios personalizados en espesor, tamaño y forma
TN puede personalizar el diamante CVD con espesores de 200 a 1000 micras y en diámetros de hasta 125 mm.Las capacidades de corte y pulido por láser de TN brindan a nuestros clientes la geometría, la planitud de la superficie, la baja rugosidad y el servicio de metalización que satisfacen sus requisitos específicos.
Aplicaciones Típicas:
Dispositivos RF de alta potencia
• Amplificadores de RF de estación base
• Amplificadores de enlace ascendente de RF por satélite
• Amplificadores de microondas
Optoelectrónica de alta potencia
• Diodos láser y conjuntos de diodos láser
• Módulos IC ópticos planos
• LED de alto brillo
Dispositivos de potencia de alto voltaje
• Subsistemas automotrices
• Subsistemas aeroespaciales
• Distribución de energía
• Convertidores CC/CC
Equipos semiconductores
• Pruebas de caracterización
• Procesos de fijación de troqueles
Ventajas competitivas en aplicaciones:
RF de alta potencia y optoelectrónica
Mayor potencia a menor temperatura de funcionamiento
El diamante CVD permite que los dispositivos optoelectrónicos y de RF de alta potencia:
• Funciona a niveles de potencia más altos sin aumentar la temperatura de funcionamiento de la unión
• Funciona al mismo nivel de potencia, pero mucho más frío, lo que aumenta la vida útil y la confiabilidad.
• La amplia transmisión óptica permite que los esparcidores de calor de diamante CVD funcionen dentro de una trayectoria óptica, como en cavidades láser, sin degradación del rendimiento óptico.
Dispositivos de energía de alto voltaje
Sistemas de energía de alto voltaje más pequeños y más rápidos
El diamante CVD ofrece:
• Confiabilidad mejorada y mayor eficiencia al reducir la temperatura de funcionamiento del dispositivo
• Peso y espacio reducidos del sistema
• Reducción o eliminación de sistemas de refrigeración auxiliares.
Montaje y prueba de semiconductores
Un tiempo de prueba más largo y un diamante CVD de matriz uniformemente adherido permiten pruebas de tensión prolongadas y caracterización de dispositivos semiconductores al mantener temperaturas más bajas de los dispositivos.El diamante CVD también garantiza que el calor se distribuya rápida y uniformemente por toda el área del semiconductor durante la fijación del troquel, brindando un contacto fuerte y confiable.
Dispositivos semiconductores compuestos
Utilizando los disipadores de calor Diamond, se puede mejorar el rendimiento de dispositivos avanzados, como los basados en GaN, SiC, InP y GaAS, y ampliar su vida útil.
Nombre del producto | Dia-TC1200 | Diámetro - TC1500 | Diámetro - TC1800 |
Método de crecimiento | MPCVD | MPCVD | MPCVD |
Espesor | 0~1mm | 0~1mm | 0~1mm |
Tolerancia de grosor | +/- 5% | +/- 5% | +/- 5% |
Tamaño | 1 cm * 1 cm; 2 pulgadas | 1 cm * 1 cm; 2 pulgadas | 1 cm * 1 cm; 2 pulgadas |
Rugosidad de la cara de crecimiento (Ra) | < 1 nanómetro | < 1 nanómetro | < 1 nanómetro |
FWHM（D111） | 0.354 | 0.354 | 0.354 |
Conductividad térmica (TC) | >1200W/mK | >1500W/mK | >1800W/mK |
Expansión térmica coeficiente | 1,0 ± 0,1 | 1,0 ± 0,1 | 1,0 ± 0,1 |
Difusividad térmica（300K (cm2 s-1)） | >5.5 | >8.3 | >10.0 |
Capacidad calorífica específica 300K (J kg-1 K-1) | 520 | 520 | 520 |
Dureza (GPa) | 81 ± 18 | 81 ± 18 | 81 ± 18 |
Tenacidad a la fractura (MPa m0.5) | 5,3 - 7,0 | 5,3 - 7,0 | 5,3 - 7,0 |
Módulo de Young (GPa) | 1050 | 1050 | 1050 |
Densidad (103 kg m-3) | 3.52 | 3.52 | 3.52 |
Resistividad Rv/Rs (Ω m | 1012 | 1012 | 1012 |
televisión | < 15 µm | < 15 µm | < 15 µm |
Arco | < 30 µm | < 30 µm | < 30 µm |
Deformación | < 100 µm | < 100 µm | < 100 µm |
