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Presentamos nuestros objetivos de pulverización catódica de carburo de silicio (SiC), el epítome de la excelencia en el campo de la deposición de películas delgadas.Con un fuerte enfoque en la precisión y la calidad, nuestros objetivos de pulverización catódica ofrecen un rendimiento excepcional, lo que los convierte en la opción preferida para diversas aplicaciones en la industria de los semiconductores.
Elaborados con la máxima profesionalidad, nuestros objetivos de pulverización catódica de SiC están diseñados para cumplir con los estrictos requisitos de la tecnología moderna de película delgada.Estos objetivos sirven como fuente ideal para depositar películas de carburo de silicio mediante el proceso de pulverización catódica.Nuestras técnicas de fabricación avanzadas garantizan la máxima pureza y uniformidad del material, lo que da como resultado una calidad de película superior y un rendimiento mejorado del dispositivo.
Además de los objetivos de pulverización catódica de SiC, también ofrecemos una amplia gama de fuentes de evaporación y otros materiales de deposición.Estos productos están diseñados meticulosamente para proporcionar resultados confiables y consistentes, lo que permite a los investigadores y fabricantes lograr una deposición precisa de películas delgadas en diversas aplicaciones.
Con nuestro compromiso con la excelencia y la satisfacción del cliente, nos esforzamos por ofrecer productos que superen las expectativas.Nuestros objetivos de pulverización catódica de SiC, fuentes de evaporación y materiales de deposición cuentan con la confianza de instituciones de investigación líderes y socios industriales de todo el mundo.Respaldados por nuestro equipo de expertos e instalaciones de última generación, garantizamos que nuestros productos cumplan constantemente con los más altos estándares de calidad y rendimiento.
Elija nuestros objetivos de pulverización catódica de carburo de silicio (SiC), fuentes de evaporación y materiales de deposición para sus necesidades de deposición de películas delgadas, y experimente la precisión y confiabilidad incomparables que ofrecen nuestros productos.Mejore sus procesos de investigación y fabricación con nuestras soluciones de nivel profesional, estableciendo nuevos puntos de referencia en el mundo de la tecnología de película delgada.
Especificaciones de dióxido de silicio (cuarzo fundido) (SiO2)
tipo de material | Óxido de silicio (IV) |
Símbolo | SiO2 |
Color/Apariencia | Blanco, Sólido Cristalino |
Punto de fusión (°C) | 1.610 |
Densidad Teórica (g/cc) | ~2,65 |
Relación Z | **1.00 |
Chisporroteo | RF |
Densidad de potencia máxima (vatios/pulgada cuadrada) | 30* |
Tipo de bono | Indio, Elastómero |
Comentarios | Cuarzo excelente en haz E. |
Presentamos nuestros objetivos de pulverización catódica de carburo de silicio (SiC), el epítome de la excelencia en el campo de la deposición de películas delgadas.Con un fuerte enfoque en la precisión y la calidad, nuestros objetivos de pulverización catódica ofrecen un rendimiento excepcional, lo que los convierte en la opción preferida para diversas aplicaciones en la industria de los semiconductores.
Elaborados con la máxima profesionalidad, nuestros objetivos de pulverización catódica de SiC están diseñados para cumplir con los estrictos requisitos de la tecnología moderna de película delgada.Estos objetivos sirven como fuente ideal para depositar películas de carburo de silicio mediante el proceso de pulverización catódica.Nuestras técnicas de fabricación avanzadas garantizan la máxima pureza y uniformidad del material, lo que da como resultado una calidad de película superior y un rendimiento mejorado del dispositivo.
Además de los objetivos de pulverización catódica de SiC, también ofrecemos una amplia gama de fuentes de evaporación y otros materiales de deposición.Estos productos están diseñados meticulosamente para proporcionar resultados confiables y consistentes, lo que permite a los investigadores y fabricantes lograr una deposición precisa de películas delgadas en diversas aplicaciones.
Con nuestro compromiso con la excelencia y la satisfacción del cliente, nos esforzamos por ofrecer productos que superen las expectativas.Nuestros objetivos de pulverización catódica de SiC, fuentes de evaporación y materiales de deposición cuentan con la confianza de instituciones de investigación líderes y socios industriales de todo el mundo.Respaldados por nuestro equipo de expertos e instalaciones de última generación, garantizamos que nuestros productos cumplan constantemente con los más altos estándares de calidad y rendimiento.
Elija nuestros objetivos de pulverización catódica de carburo de silicio (SiC), fuentes de evaporación y materiales de deposición para sus necesidades de deposición de películas delgadas, y experimente la precisión y confiabilidad incomparables que ofrecen nuestros productos.Mejore sus procesos de investigación y fabricación con nuestras soluciones de nivel profesional, estableciendo nuevos puntos de referencia en el mundo de la tecnología de película delgada.
Especificaciones de dióxido de silicio (cuarzo fundido) (SiO2)
tipo de material | Óxido de silicio (IV) |
Símbolo | SiO2 |
Color/Apariencia | Blanco, Sólido Cristalino |
Punto de fusión (°C) | 1.610 |
Densidad Teórica (g/cc) | ~2,65 |
Relación Z | **1.00 |
Chisporroteo | RF |
Densidad de potencia máxima (vatios/pulgada cuadrada) | 30* |
Tipo de bono | Indio, Elastómero |
Comentarios | Cuarzo excelente en haz E. |