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Presentamos nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (in): el epítome de la excelencia en objetivos de pulverización catódica, fuentes de evaporación y otros materiales de deposición.
Elaborados con la máxima precisión y experiencia, nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (In) están diseñados para cumplir con los exigentes requisitos de diversas industrias.
Estos objetivos son ideales para su uso en procesos de deposición física de vapor (PVD), donde se depositan películas delgadas sobre sustratos para crear recubrimientos de alta calidad.Nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (In) garantizan una deposición uniforme y controlada, lo que da como resultado una calidad de película superior y un rendimiento mejorado.
Con una pureza y uniformidad excepcionales, nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (In) garantizan resultados consistentes y confiables.Se fabrican meticulosamente utilizando técnicas avanzadas y materiales de alta calidad, lo que garantiza durabilidad y longevidad.
Nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (In) se utilizan ampliamente en aplicaciones como la fabricación de semiconductores, recubrimientos ópticos e investigación de películas delgadas.Ofrecen una excelente adherencia, alta densidad y excelente conductividad térmica, lo que los convierte en la opción preferida para diversas industrias.
Cuando se trata de materiales de deposición, nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (In) son un testimonio de profesionalismo y confiabilidad.Confíe en nuestros productos para ofrecer un rendimiento excepcional, una calidad impecable y una precisión inigualable.
Elija nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (In) para sus necesidades de pulverización catódica y evaporación, y experimente el pináculo de la excelencia en materiales de deposición.
Especificaciones del indio (pulg):
tipo de material | indio |
Símbolo | In |
Peso atomico | 114.818 |
Número atómico | 49 |
Color/Apariencia | Gris plateado brillante, Metálico |
Conductividad térmica | 82 W/mK |
Punto de fusión (°C) | 157 |
Coeficiente de Térmico Expansión | 32,1 x 10-6/K |
Densidad Teórica (g/cc) | 7.3 |
Relación Z | 0.841 |
Chisporroteo | corriente continua |
Tipo de bono | Elastómero |
Comentarios | Moja W y Cu.Usar Mo transatlántico.Los materiales de bajo punto de fusión no son ideales para la pulverización catódica. |
Presentamos nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (in): el epítome de la excelencia en objetivos de pulverización catódica, fuentes de evaporación y otros materiales de deposición.
Elaborados con la máxima precisión y experiencia, nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (In) están diseñados para cumplir con los exigentes requisitos de diversas industrias.
Estos objetivos son ideales para su uso en procesos de deposición física de vapor (PVD), donde se depositan películas delgadas sobre sustratos para crear recubrimientos de alta calidad.Nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (In) garantizan una deposición uniforme y controlada, lo que da como resultado una calidad de película superior y un rendimiento mejorado.
Con una pureza y uniformidad excepcionales, nuestros objetivos de pulverización catódica de indio (In) garantizan resultados consistentes y confiables.Se fabrican meticulosamente utilizando técnicas avanzadas y materiales de alta calidad, lo que garantiza durabilidad y longevidad.
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Especificaciones del indio (pulg):
tipo de material | indio |
Símbolo | In |
Peso atomico | 114.818 |
Número atómico | 49 |
Color/Apariencia | Gris plateado brillante, Metálico |
Conductividad térmica | 82 W/mK |
Punto de fusión (°C) | 157 |
Coeficiente de Térmico Expansión | 32,1 x 10-6/K |
Densidad Teórica (g/cc) | 7.3 |
Relación Z | 0.841 |
Chisporroteo | corriente continua |
Tipo de bono | Elastómero |
Comentarios | Moja W y Cu.Usar Mo transatlántico.Los materiales de bajo punto de fusión no son ideales para la pulverización catódica. |