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Presentamos nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si): el epítome de la excelencia en objetivos de pulverización catódica, fuentes de evaporación y otros materiales de deposición.Elaborados con la máxima precisión y diseñados para cumplir con los más altos estándares de la industria, nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio son la opción ideal para sus procesos de deposición de películas delgadas.
Nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio se fabrican utilizando tecnología de última generación, lo que garantiza una pureza y uniformidad excepcionales.Con un tono de voz profesional, garantizamos que nuestros productos brindarán un rendimiento consistente y confiable, lo que los hace perfectos para una amplia gama de aplicaciones.
Con una durabilidad incomparable, nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio están diseñados para soportar un uso riguroso, lo que garantiza un rendimiento duradero y minimiza el tiempo de inactividad.Su excepcional conductividad térmica y su alto punto de fusión los hacen altamente eficientes e ideales para diversas técnicas de deposición, incluida la pulverización catódica con magnetrón y la evaporación térmica.
Nuestro compromiso con la calidad se refleja en cada aspecto de nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio.Controlamos minuciosamente el proceso de fabricación para garantizar una pureza excepcional, asegurando el mínimo de impurezas y defectos.Las dimensiones precisas y el acabado superficial de nuestros objetivos permiten una deposición óptima de la película, lo que da como resultado una calidad superior de película fina.
Ya sea que trabaje en la industria de semiconductores, recubrimientos ópticos o células solares, nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio son la elección perfecta para sus necesidades de deposición de películas delgadas.Confíe en nuestros productos de calidad profesional para mejorar sus procesos de fabricación y lograr resultados sobresalientes.
Invierta hoy en nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio y experimente el pináculo de la excelencia en objetivos de pulverización catódica, fuentes de evaporación y otros materiales de deposición.Contáctenos ahora para analizar sus requisitos y descubrir cómo nuestros productos pueden revolucionar sus procesos de deposición de películas delgadas.
Especificaciones de silicio (Si):
tipo de material | Silicio |
Símbolo | Si |
Peso atomico | 28.0855 |
Número atómico | 14 |
Color/Apariencia | Gris oscuro con un tono azulado. Matiz, semimetálico |
Conductividad térmica | 150 W/mK |
Punto de fusión (°C) | 1.410 |
Resistividad masiva | >1 OHMIO-CM |
Coeficiente de Térmico Expansión | 2,6 x 10-6/K |
Densidad Teórica (g/cc) | 2.32 |
dopante | sin dopar |
Relación Z | 0.712 |
Chisporroteo | RF |
Densidad de potencia máxima (vatios/pulgada cuadrada) | 20* |
Tipo de bono | Indio, Elastómero |
Comentarios | Aleaciones con W;usar W pesado bote.SiO producido. |
Presentamos nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si): el epítome de la excelencia en objetivos de pulverización catódica, fuentes de evaporación y otros materiales de deposición.Elaborados con la máxima precisión y diseñados para cumplir con los más altos estándares de la industria, nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio son la opción ideal para sus procesos de deposición de películas delgadas.
Nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio se fabrican utilizando tecnología de última generación, lo que garantiza una pureza y uniformidad excepcionales.Con un tono de voz profesional, garantizamos que nuestros productos brindarán un rendimiento consistente y confiable, lo que los hace perfectos para una amplia gama de aplicaciones.
Con una durabilidad incomparable, nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio están diseñados para soportar un uso riguroso, lo que garantiza un rendimiento duradero y minimiza el tiempo de inactividad.Su excepcional conductividad térmica y su alto punto de fusión los hacen altamente eficientes e ideales para diversas técnicas de deposición, incluida la pulverización catódica con magnetrón y la evaporación térmica.
Nuestro compromiso con la calidad se refleja en cada aspecto de nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio.Controlamos minuciosamente el proceso de fabricación para garantizar una pureza excepcional, asegurando el mínimo de impurezas y defectos.Las dimensiones precisas y el acabado superficial de nuestros objetivos permiten una deposición óptima de la película, lo que da como resultado una calidad superior de película fina.
Ya sea que trabaje en la industria de semiconductores, recubrimientos ópticos o células solares, nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio son la elección perfecta para sus necesidades de deposición de películas delgadas.Confíe en nuestros productos de calidad profesional para mejorar sus procesos de fabricación y lograr resultados sobresalientes.
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Especificaciones de silicio (Si):
tipo de material | Silicio |
Símbolo | Si |
Peso atomico | 28.0855 |
Número atómico | 14 |
Color/Apariencia | Gris oscuro con un tono azulado. Matiz, semimetálico |
Conductividad térmica | 150 W/mK |
Punto de fusión (°C) | 1.410 |
Resistividad masiva | >1 OHMIO-CM |
Coeficiente de Térmico Expansión | 2,6 x 10-6/K |
Densidad Teórica (g/cc) | 2.32 |
dopante | sin dopar |
Relación Z | 0.712 |
Chisporroteo | RF |
Densidad de potencia máxima (vatios/pulgada cuadrada) | 20* |
Tipo de bono | Indio, Elastómero |
Comentarios | Aleaciones con W;usar W pesado bote.SiO producido. |