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TN
Presentamos nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo N)), la solución definitiva para sus necesidades de pulverización catódica y deposición.
Nuestros objetivos de pulverización catódica están diseñados específicamente para proporcionar un rendimiento y confiabilidad excepcionales en diversas aplicaciones de deposición de películas delgadas.Fabricados con silicio de alta calidad (Si (tipo N)), estos objetivos ofrecen excelente uniformidad, pureza y densidad, lo que garantiza una deposición de película precisa y consistente.
Ya sea que trabaje en la industria de semiconductores, recubrimientos ópticos o en investigación y desarrollo, nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo N)) son la opción ideal.Con su composición superior y pureza excepcional, estos objetivos garantizan una alta calidad de película y permiten la deposición de películas delgadas con excelentes propiedades eléctricas y ópticas.
Además de los objetivos de pulverización catódica, también ofrecemos una amplia gama de fuentes de evaporación y otros materiales de deposición para satisfacer sus requisitos específicos.Nuestra amplia selección garantiza que tenga todo lo que necesita para procesos exitosos de deposición de películas delgadas.
Elija nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo N)) y experimente la diferencia en rendimiento y calidad.Con nuestro compromiso con la excelencia y nuestro tono de voz profesional, garantizamos que nuestros productos superarán sus expectativas y brindarán resultados sobresalientes en sus aplicaciones de deposición.
Silicio (Si (tipo N)) Especificaciones:
tipo de material | Silicio (tipo N) |
Símbolo | Si (tipo N) |
Peso atomico | 28.0855 |
Número atómico | 14 |
Color/Apariencia | Gris oscuro con un tono azulado. Matiz, semimetálico |
Conductividad térmica | 150 W/mK |
Punto de fusión (°C) | 1.410 |
Resistividad masiva | <0,1 ohmios-cm |
Coeficiente de Térmico Expansión | 2,6 x 10-6/K |
Densidad Teórica (g/cc) | 2.32 |
dopante | Fósforo, arsénico o Antimonio |
Relación Z | 0.712 |
Chisporroteo | CC, RF |
Densidad de potencia máxima (vatios/pulgada cuadrada) | 40* |
Tipo de bono | Indio, Elastómero |
Presentamos nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo N)), la solución definitiva para sus necesidades de pulverización catódica y deposición.
Nuestros objetivos de pulverización catódica están diseñados específicamente para proporcionar un rendimiento y confiabilidad excepcionales en diversas aplicaciones de deposición de películas delgadas.Fabricados con silicio de alta calidad (Si (tipo N)), estos objetivos ofrecen excelente uniformidad, pureza y densidad, lo que garantiza una deposición de película precisa y consistente.
Ya sea que trabaje en la industria de semiconductores, recubrimientos ópticos o en investigación y desarrollo, nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo N)) son la opción ideal.Con su composición superior y pureza excepcional, estos objetivos garantizan una alta calidad de película y permiten la deposición de películas delgadas con excelentes propiedades eléctricas y ópticas.
Además de los objetivos de pulverización catódica, también ofrecemos una amplia gama de fuentes de evaporación y otros materiales de deposición para satisfacer sus requisitos específicos.Nuestra amplia selección garantiza que tenga todo lo que necesita para procesos exitosos de deposición de películas delgadas.
Elija nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo N)) y experimente la diferencia en rendimiento y calidad.Con nuestro compromiso con la excelencia y nuestro tono de voz profesional, garantizamos que nuestros productos superarán sus expectativas y brindarán resultados sobresalientes en sus aplicaciones de deposición.
Silicio (Si (tipo N)) Especificaciones:
tipo de material | Silicio (tipo N) |
Símbolo | Si (tipo N) |
Peso atomico | 28.0855 |
Número atómico | 14 |
Color/Apariencia | Gris oscuro con un tono azulado. Matiz, semimetálico |
Conductividad térmica | 150 W/mK |
Punto de fusión (°C) | 1.410 |
Resistividad masiva | <0,1 ohmios-cm |
Coeficiente de Térmico Expansión | 2,6 x 10-6/K |
Densidad Teórica (g/cc) | 2.32 |
dopante | Fósforo, arsénico o Antimonio |
Relación Z | 0.712 |
Chisporroteo | CC, RF |
Densidad de potencia máxima (vatios/pulgada cuadrada) | 40* |
Tipo de bono | Indio, Elastómero |
