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Presentamos nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo P)) de primera línea, la solución definitiva para sus necesidades de pulverización catódica y deposición.
Elaborados con precisión y experiencia, nuestros objetivos de pulverización catódica están diseñados para ofrecer un rendimiento excepcional en diversas aplicaciones de deposición de películas delgadas.Ya sea que necesite objetivos de pulverización catódica, fuentes de evaporación u otros materiales de deposición, lo tenemos cubierto.
Nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo P)) se fabrican con materiales de la más alta calidad, lo que garantiza durabilidad y confiabilidad.Con su pureza y uniformidad excepcionales, estos objetivos garantizan resultados de deposición consistentes y precisos.
Diseñados para profesionales, nuestros objetivos de pulverización catódica ofrecen una excelente conductividad térmica y resistividad eléctrica, lo que los hace ideales para una amplia gama de aplicaciones, incluida la fabricación de semiconductores, recubrimientos ópticos e investigación y desarrollo.
Con nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo P)), puede lograr una calidad de película superior, altas tasas de deposición y una excelente adhesión, lo que resulta en un mejor rendimiento y productividad.
Confíe en nuestra experiencia y conocimientos para proporcionarle los mejores objetivos de pulverización catódica, fuentes de evaporación y otros materiales de deposición.Elija nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo P)) para obtener una calidad y confiabilidad inigualables en sus procesos de deposición de películas delgadas.
Silicio (Si (tipo P)) Especificaciones:
tipo de material | Silicio (tipo P) |
Símbolo | Si (tipo P) |
Peso atomico | 28.0855 |
Número atómico | 14 |
Color/Apariencia | Gris oscuro con un tono azulado. Matiz, semimetálico |
Conductividad térmica | 150 W/mK |
Punto de fusión (°C) | 1.410 |
Resistividad masiva | 0,005-0,020 ohmios-cm |
Coeficiente de Térmico Expansión | 2,6 x 10-6/K |
Densidad Teórica (g/cc) | 2.32 |
dopante | Boro |
Relación Z | 0.712 |
Chisporroteo | CC, RF |
Densidad de potencia máxima (vatios/pulgada cuadrada) | 40* |
Tipo de bono | Indio, Elastómero |
Presentamos nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo P)) de primera línea, la solución definitiva para sus necesidades de pulverización catódica y deposición.
Elaborados con precisión y experiencia, nuestros objetivos de pulverización catódica están diseñados para ofrecer un rendimiento excepcional en diversas aplicaciones de deposición de películas delgadas.Ya sea que necesite objetivos de pulverización catódica, fuentes de evaporación u otros materiales de deposición, lo tenemos cubierto.
Nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo P)) se fabrican con materiales de la más alta calidad, lo que garantiza durabilidad y confiabilidad.Con su pureza y uniformidad excepcionales, estos objetivos garantizan resultados de deposición consistentes y precisos.
Diseñados para profesionales, nuestros objetivos de pulverización catódica ofrecen una excelente conductividad térmica y resistividad eléctrica, lo que los hace ideales para una amplia gama de aplicaciones, incluida la fabricación de semiconductores, recubrimientos ópticos e investigación y desarrollo.
Con nuestros objetivos de pulverización catódica de silicio (Si (tipo P)), puede lograr una calidad de película superior, altas tasas de deposición y una excelente adhesión, lo que resulta en un mejor rendimiento y productividad.
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Silicio (Si (tipo P)) Especificaciones:
tipo de material | Silicio (tipo P) |
Símbolo | Si (tipo P) |
Peso atomico | 28.0855 |
Número atómico | 14 |
Color/Apariencia | Gris oscuro con un tono azulado. Matiz, semimetálico |
Conductividad térmica | 150 W/mK |
Punto de fusión (°C) | 1.410 |
Resistividad masiva | 0,005-0,020 ohmios-cm |
Coeficiente de Térmico Expansión | 2,6 x 10-6/K |
Densidad Teórica (g/cc) | 2.32 |
dopante | Boro |
Relación Z | 0.712 |
Chisporroteo | CC, RF |
Densidad de potencia máxima (vatios/pulgada cuadrada) | 40* |
Tipo de bono | Indio, Elastómero |
